商品詳細介紹：
生產氧化(hua)鎵Ga2O3
氧化(hua)鎵Ga2O3：99.99% 氧化(hua)鎵：99.999% 氧化(hua)鎵：99.9999%
Element Concentration (ppm wt) ICP-OES Analysis (ppm) Al 1.0 Ca 2.6 Fe <1.0 Ni <0.8 Cu 3.8 Zn <2.2 In <2.1 Pb 3.2 Sn <1.8 項 目Project 化學成分(fen)（質(zhi)量(liang)分(fen)數） Chemical composition (mass fraction)% Ga2O3 ≥ 4N 5N 99.99 99.999 粒(li)度Granularity 2um Impurity Content(min) 雜(za)質(zhi)，不大(da)于，×10-4 序號(hao) No. 雜(za)質(zhi)元素(su) Impurities 符號(hao) Symbol 4N 99.99% 5N 99.999% 1 鈉 Na 2 0.8 2 鎂 Mg 2 0.5 3 鈣 Ca 5 1.0 4 鉻 Cr 2 0.5 5 錳 Mn 2 0.5 6 鐵 Fe 5 1.0 7 鈷(gu) Co 2 0.4 8 鎳 Ni 2 0.4 9 銅(tong) Cu 2 0.4 10 鋅 Zn 5 0.4 11 錫 Sn 5 0.5 12 銦 In 3 0.5 13 鉛 Pb 2 0.4 合 計Total 39 7.3 注：① 產(chan)品的(de)質(zhi)量(liang)成分(fen)為(wei)100％減(jian)去表中所列(lie)雜(za)質(zhi)（質(zhi)量(liang)分(fen)數）總和的(de)余(yu)量(liang)。 CONCLUSION The total of other elements are less than 100ppm (<0.01%).
分子量(liang)：187.44。
顏色(se)：白色(se)結晶(jing)粉(fen)末。
作用(yong)：氧化鎵（Ga2O3）是一種(zhong)(zhong)寬(kuan)帶半導體(ti)，-Ga2O3是一種(zhong)(zhong)透明(ming)的(de)(de)氧化物半導體(ti)材料(liao)，在光電子器(qi)件(jian)方(fang)面有廣闊的(de)(de)應用(yong)前景 ，被(bei)用(yong)作于Ga基(ji)半導體(ti)材料(liao)的(de)(de)絕緣(yuan)層，以及紫外線濾光片。它還可以用(yong)作O2化學探(tan)測(ce)器(qi)。